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SiC半導体を使用した直列共振回路技術を基本に、高電圧装置の小型化や高効率化を実現し、医療分野、産業分野等の進化に貢献します。

製品・サービスの登録業界

この登録製品に関する強み(技術・製品リソース)

1.従来技術では不可能な高出力、高速SWが可能なパルス発生器

2.急激な電圧、電流変動から電気回路の保護が可能な半導体遮断器

製品・サービスの特長

◇福島SiC応用技研株式会社の基本技術

SiC-MOSFETアレイによる高電圧半導体スイッチモジュールを搭載した高電圧パルス発生器を製作しています。太陽光発電や電気自動車などの分野がSiCの応用先としてよく知られていますが、高電圧パルス発生器においても、SiC半導体を搭載することで、これまでの製品では到達できなかった性能を実現することができます。高出力(超低オン抵抗)、高速スイッチング、高繰り返し周波数を兼ね備えた高電圧パルス発生器は、医療用の荷電粒子加速器(SiC加速器中性子源)をはじめ、表面改質処理、薄膜作成処理、超微粒子の大量合成処理、排ガス処理、岩石破砕処理等の実現に寄与します。*SiC(シリコンカーバイド)とは、Si(シリコン)に代わる半導体材料であり、SiC半導体は高電圧、大電流を扱うアプリケーションに適するパワーデバイスです。

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SiC高電圧パルス発生器(初期モデル)

SiC半導体による高電圧パルス発生器は、従来の「真空管式高電圧パルス発生器」や「シリコン半導体デバイスによる半導体パルス発生器」と比較して、定格電圧、定格電流、応答特性、故障率など、装置単体レベル性能でも圧倒的なコスト・性能の優位性があります。

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SiC半導体遮断器

従来の遮断器は機械接点を使っていたため、高電圧をオフする際はアークが発生して完全にオフまでに数m秒~数十m秒の時間を要していました。SiC半導体遮断器では無電圧接点を使っており、数十kV以上の交流高電圧であっても、或は直流高電圧であってもアークが発生することなく瞬時(数百n秒以内)に電流をオフできます。これまでの機械式遮断器では非常に急激な電流変化や電圧変化から電気回路を保護することができませんでした。SiC半導体遮断機ではこのような非常に急激な電圧変動、電流変動から電気回路を保護することが可能となります。またSiC(シリコンカーバイト)デバイスのオン抵抗は、Si(シリコン)デバイスの1/10~1/100程度であり電力ロスの少ない省エネルギー製品を提供できます

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SiC加速器中性子源(SiC直列共振式静電加速器)

原子炉を用いることなく、加速器にて大量の中性子を発生させる製品です。加速器駆動回路にSiC直列共振という最先端のパワーエレクトロニクス技術を適用することで、従来に比べて大幅な小型化・低消費電力化を実現できました。設置場所の電源環境にあわせて「パルス加速モード」、「静電加速モード」の2種類の加速モードを選択することができます。

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SiC-BNCTがん治療装置

SiC直列共振式静電加速器による加速器中性子源(以下SiC加速器中性子源)を使用し、装置本体には、複数本のSiC加速器中性子源を患者周囲に配置することで中性子線による多門照射を実現します。多門照射を行うことで、体の奥深くにある患部まで中性子線が届けられるようになり、開頭手術、開腹手術が不要なBNCT技術を確立します。

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製品・サービスのステータス

量産中・販売中

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eEXPO担当者

Webサイト

出展品の担当部門所在地

〒979-0513
福島県 双葉郡楢葉町大字山田岡字仲丸1-7

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("福島SiC応用技研"の論文検索結果)

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