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昇華原料に対応!
研究開発向けALD(原子層堆積)装置

製品・サービスの登録業界

この登録製品に関する強み(技術・製品リソース)

1.研究開発の用途に最適な多品種ALD成膜装置

2.複合金属酸化物および貴金属の成膜に対応

3.高アスペクト比の3次元構造に対して、均一な薄膜形成

製品・サービスの特長

◇デュアルパージシステムによる効率的な排出フロー制御

2種類のパージガス制御によって、残留しやすい昇華原料を効率的に配管内から排出します。

◇様々な原料に対応する拡張性

原料や反応ガス供給部の装置構成を組み替える事で多品種・複合膜のALD成膜が可能。

◇配管ラインを個別温度コントロール

すべての配管は個別に温度管理され、配管内壁に原料が堆積する事を防止します。

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製品・サービスの詳細

ALD(AtomicLayerDeposition)は原子層堆積法と呼ばれ、単原子層を1層ずつ堆積するサイクルを繰り返すことで薄膜を形成する成膜技術です。
MEMSをはじめとする高アスペクト比の3次元構造に対しても回り込み良く、ピンホールのない均一な薄膜が形成可能です。

製品・サービスの仕様

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【型式】TFADL-201

【対応基板】φ2インチ2枚

【基板温度】最大300℃

【ユニット接続数】最大9ユニット

【対応キャリアガス】窒素またはアルゴン

【対応パージガス】窒素

【排気ポンプ】ロータリー真空ポンプ

【除害機能】熱分解方式による排ガス除害

【入力電源】AC100V(50/60Hz) 最大50A

【外形寸法】横1800×高さ1380×奥行840mm

【付属品】制御ソフトウェア(Windows専用)

【オプション】
 ・ターボ分子ポンプ
 ・メカニカルブースターポンプ
 ・プラズマアシストユニット
 ・無停電電源装置(UPS)
 ・タッチパネル型制御コントローラ

製品・サービスの仕様

Product_block_1000225144_1530067406

【型式】TFALL-201

【対応基板】φ2インチ 2枚

【基板温度】最大300℃

【対応膜種】酸化アルミニウム

【対応キャリアガス】窒素

【対応パージガス】窒素

【排気ポンプ】ロータリー真空ポンプ

【除害機能】熱分解方式による排ガス除害

【入力電源】AC100V (50/60Hz) 40A

【外形寸法】横1060×高さ1475×奥行690mm

【付属品】制御ソフトウェア(Windows専用)

【オプション】
 ・プラズマアシストユニット
 ・無停電電源装置(UPS)
 ・タッチパネル型制御コントローラ

製品・サービスのステータス

量産中・販売中

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